1.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

2.由于这种连接可能出现较大的泄漏沟道，故可用密封剂、密封胶带或填料来堵塞这些沟道。

3.它还集成了两个内部低饱和PNP晶体管,措置双沟道充电性能.

4.绝缘栅双极晶体管。N沟道增强模式，高速开关。

5.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

6.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

7.基本保留了凤凰台、回水沟与厚慈街的位置,对十八梯、守备街、花街子、回水沟道路做了进一步改善。

8.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

9.辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

10.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

11.泥石流沟道侵蚀作为一种特殊的侵蚀类型，与一般水流相比，其侵蚀作用非常强烈，在一次过程中便可刷深沟床数米甚至数十米。

12.村周围成千上万的沟道、石堰,为收藏石头提供了绝佳的天然场所。

13.湖底扇、辫状沟道砂体易于形成岩性油气藏。

14.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

15.最后，模拟研究了“双沟道”MESFET结构，并根据模拟仿真的直流输出特性以及击穿特性，优化了“低沟道”层和“高沟道”层的结构参数。

16.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

17.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

18.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

19.对于0.18m及0.18m以下的器件而言最大的挑战之一就是如何减少短沟道效应，解决这一挑战的方法是使用超浅结工艺。

20.产品型号稳定是加工水泵、纺织轴承沟道、滚道之最佳选择。

21.经分析，是由于金属栅极的缝隙距离或孔径过大，势垒区耗尽层远小于沟道宽度，栅压起不到明显的调控作用。

22.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。

23.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

24.骨干坝的布局应遵循三均衡原则,即单坝区间控制面积基本均衡,对干支沟的沟道控制基本均衡,单坝淤地面积与区间控制面积的比值基本均衡。

25.这样在源和漏之间就产生了一个导电的n型沟道.

26.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

27.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

28.特定来说，在非易失性存储器装置经历许多编程循环时，电荷变为俘获在浮动栅极与沟道区之间的绝缘体或电介质中。

29.文中通过利用耗尽层阻断沟道的方法，讨论了一种基于RST结构原理实现“或非”逻辑功能的器件结构。

30.沟道效应的运动阻尼与系统走向混沌的临界特征。

31.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

32.当时,毛*席住在白育才家的五孔窑洞里,沟道对面是红军总部机关驻地,博古等人居住在此,相邻的同一排窑洞设有警卫排、伙房、机要室、电台部等。

33.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

34.它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。

35.高能粒子在碳纳米管绳里的沟道效应，显示大的沟道直径和微弱的退沟道因子。

36.在较浅的沟道里，如果流量过大就可能使沟水漫溢，并引起连锁反应，从而产生冲沟。

37.全区的护田林带已达200多公里,许多侵蚀剧烈的沟道、河川被沙棘固定。

38.由于沟道存在很强的沟床和沟壁侵蚀，沟道也成为土壤侵蚀风险区。

39.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

40.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

41.本发明对底电极的修饰采用沟道半导体材料本身，减小了电极与沟道材料之间的接触电势差。

42.沟道化是断陷湖盆重力流沉积的一大特色，探讨了其有别于经典海相重力流相模式的原因。

43.介绍一种采用电磁铁驱动的砂轮修整定位机构，用于单沟道轴承磨床改造，实现轴承套圈双沟道一次磨削和自动磨削。

44.模拟结果显示：越细长的沟道，器件的短沟效应越弱，器件的亚阈值斜率随栅氧化层增厚而加大。

45.阐述了土谷坊的设计原则、施工方法及其在沟道治理工程中的应用.

46.被排出的浆液通过沟道被送到吸收塔排水坑.

47.为了减小小尺寸MOS器件的短沟道效应，采取了改进器件的结构、改变沟道掺杂以及减小栅氧化层厚度等措施。

48.其课题在于，针对氮化镓系的高电子迁移率晶体管，提高二维电子浓度和电子迁移率，并且不产生短沟道效应。

49.第五章设计了全P沟道TFT构成的屏上驱动电路，包括反相器、移位寄存器、传输门的设计，并用仿真软件进行了仿真验证。

50.藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。